三星电子与SK海力士计划在2026年继续下调NAND闪存晶圆产量,此举旨在为了利润最大化。三星的产量将从2025年的490万片降至468万片,而SK海力士的产量将从190万片降至170万片。减产的原因主要包括:优先投资盈利更高的DRAM市场;产线由TLC转向QLC良率爬坡;以及以缩减通用型供应来抵御长江存储的低价竞争。市场分析机构TrendForce预计,2026年第一季度NAND闪存的合约价环比将上涨33%-38%,而IDC预测全年供应增幅仅为17%。这意味着供应紧张的情况可能会贯穿全年。这一系列动作预示着,在未来几年内,2T的NVME存储设备可能会因为供应的限制而变得不再那么容易购买。

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